China cria o menor transistor do mundo com uma porta de 0,34nm, que é o limite para materiais modernos
Um grupo científico do Império Celestial foi capaz de criar um design único de transistor. Sua solução de design permitiu obter o menor transistor do mundo, com um comprimento de porta de 0,34 nm.
Não é mais possível reduzir ainda mais o tamanho do obturador usando os chamados processos tecnológicos tradicionais. Afinal, o comprimento da porta resultante é igual à largura de um único átomo de carbono.
Como os engenheiros conseguiram alcançar tal resultado
Gostaria de dizer desde já que, no momento, o desenvolvimento dos engenheiros chineses é experimental e, até agora, não pode se gabar de nenhum parâmetro técnico excepcional.
Mas, apesar disso, os engenheiros mostraram a própria possibilidade de tal conceito, bem como sua capacidade de ser reproduzido por meio de processos tecnológicos tradicionais.
Assim, os cientistas chamaram o dispositivo resultante de "Sidewall Transistor". Sim, a própria ideia de uma orientação vertical de um canal de transistor não é nova, e até foi implementada pela Samsung e IBM. Mas os engenheiros do Middle Kingdom realmente conseguiram surpreender a todos.
O fato é que o obturador no dispositivo resultante é um corte de apenas uma camada atômica de grafeno, cuja espessura corresponde à espessura de um átomo de carbono e é igual a 0,34 nm.
Tecnologia para obter o menor transistor do mundo
Então, para obter esse transistor, os cientistas usaram um substrato de silício comum como base. A seguir, sobre este substrato, foi feito um par de degraus a partir de uma liga de titânio e paládio. E uma folha de grafeno foi colocada no nível mais alto. E como os cientistas enfatizaram, com essa colocação, não é necessária precisão especial.
Em seguida, uma camada de alumínio pré-oxidada ao ar foi colocada sobre uma folha de grafeno (o óxido atua como isolante da estrutura).
Uma vez que o alumínio está no lugar, inicia-se o processo usual de gravação, expondo a borda do grafeno, bem como o corte da sobreposição de alumínio.
É assim que se obtém um obturador de grafeno de apenas 0,34 nm, enquanto uma fatia de alumínio se abre um pouco acima dele, que já é capaz de formar um circuito elétrico, mas não diretamente.
Na etapa seguinte, o óxido de háfnio, que é um isolante, é colocado nos degraus e na parte lateral, que, conforme o tempo não permite que a porta forme uma conexão elétrica com o resto do transistor, bem como com o canal transistor.
E já na camada de háfnio é colocado o dióxido de molibdênio semicondutor, que apenas desempenha o papel de um canal de transistor, cujo controle está no portão na forma de uma fatia de grafeno.
Assim, os cientistas obtiveram uma estrutura, cuja espessura é igual a apenas dois átomos e uma porta de um átomo. Neste caso, o dreno e a fonte deste transistor são contatos metálicos que foram depositados no dióxido de molibdênio.
Foi assim que conseguimos o menor transistor do mundo com uma porta de 0,34 nm.
Se você gostou do material, não se esqueça de avaliá-lo e também de se inscrever no canal. Obrigado pela sua atenção!