Cientistas conseguiram criar um transistor com memória interna FeRAM

Acontece que o processamento e o armazenamento de dados são tarefas para dispositivos completamente diferentes. E a integração de células computacionais em células de memória é uma oportunidade não apenas para aumentar ainda mais a densidade arranjo de elementos no cristal, mas também criar um dispositivo que em sua essência se assemelha a um humano cérebro.

Tal desenvolvimento tem todas as chances de dar um grande impulso ao desenvolvimento da inteligência artificial.

De acordo com pesquisadores americanos do centro de ciências Centro de Nanotecnologia de Purdue Discovery Park Birck Purdue University, para compactar ao máximo a estrutura da célula porta (1T1C), é necessário usar uma célula de memória ferroelétrica (ferroelétrica) combinada com um transistor.

Além disso, para densidade, é bem possível construir uma junção de túnel magnetorresistivo diretamente no grupo de contato imediatamente abaixo do transistor.

Os cientistas publicaram os resultados de seus experimentos no jornal

Nature Electronics, onde descreveram em detalhes todas as suas pesquisas científicas, como resultado da qual eles conseguiram criar um transistor com uma junção de túnel embutida de um ferroelétrico.

No decorrer de seu trabalho, eles conseguiram resolver um problema muito importante. Afinal, os ferroelétricos são considerados dielétricos com um gap extremamente amplo, que bloqueia a passagem de elétrons. E em semicondutores, por exemplo, no silício, os elétrons passam livremente.

Além disso, os ferroelétricos são dotados de mais uma propriedade, que de forma alguma permite a criação de células de memória em um único cristal de silício junto com transistores.

A saber: o silício é incompatível com os ferroelétricos, pois, figurativamente, é "gravado" por eles.

Para neutralizar esses aspectos negativos, os cientistas se propuseram a encontrar um semicondutor com propriedades ferroelétricas e conseguiram.

Este material acabou sendo seleneto-alfa índio. Afinal, ele tem um gap pequeno e é capaz de passar um fluxo de elétrons. E como este é um material semicondutor, simplesmente não há obstáculos para sua combinação com o silício.

Numerosos estudos, testes de laboratório e simulações complexas mostraram que com o devido otimização, o transistor criado com memória embutida pode superar significativamente o efeito de campo existente transistores.

Ao mesmo tempo, a espessura da junção do túnel agora é de apenas 10 nm, mas de acordo com representantes do grupo científico, esse parâmetro pode ser reduzido à espessura de apenas um átomo.

Este layout superdenso traz toda a humanidade um passo mais perto de implementar um projeto ambicioso como Inteligência Artificial.

Gostaria de enfatizar que a maior parte do financiamento vem de subsídios do Pentágono, o que leva a algumas reflexões.

Gostei do material, depois positivo e gostei de você! Também escreva nos comentários, talvez os cientistas americanos estejam desenvolvendo algum tipo de análogo da Skynet?